晶圆内应力检测仪SV200i
具备化合物晶圆和蓝宝石晶圆内应力分布定量测量及缺陷定位筛查的功能优势
基于双折射应力测量模型实现应力瞬时测量，显示应力二维分布伪彩图采用双远心检测光路，内应力测量精度高
业界领先水平的内应力检测横向解析度，可实现微小缺陷定位订制化样品托盘，适应不同规格晶圆批量测试.
适用对象:适用于化合物晶圆片（SiC，GaO等）、蓝宝石晶圆、玻璃晶圆片、精密光学元件（平晶，棱镜，波片，透镜等）的内应力检测.
适用领域:面向化合物晶圆籽晶筛选、长晶质量管控，晶圆加工工艺管控、晶圆成品质量管控等晶圆生产过程
检测原理
基于偏振光应力双折射效应检测晶圆材料内部残余应力分布。当晶体材料由于长晶环境温度梯度和晶体内部缺陷导致产生晶体内应力时，晶体会呈现出应力双折射效应，偏振光透过它时会发生偏振态调制，通过测量透射光的斯托克斯矢量可以推算出材料的应力延迟量，从而测量出材料内应力分布
可同步集成晶圆微管缺陷检测和尺寸量测功能
实测案例
StrainViewer技术规格
产品型号 | SV200 i | SV300 |
样品测量口径 | 兼容2-8英寸晶圆（200*200mm） 可订制化样品载台 | 兼容2-12英寸晶圆（300*300mm） 可订制化样品载台 |
应力测量输出内容 | 相位延迟（°）及光学延迟（nm） 归一化延迟（nm/mm） 综合应力（MPa）及方位角 | |
测量光源 | 630nmLED光源（可选配其它光源） | |
尺寸量测横向分辨率 | 25μm | |
应力测量范围 | 0.1~150nm光学延迟 | |
方位角测量范围 | 0-180° | |
测量重复性 | 0.5nm光学延迟，0.5°方位角 | |
测量准确性 | ±0.5nm光学延迟，±1.5°方位角 | |
应力图像解析度 | 1600万像素（@6英寸晶圆） | 3400万像素（@8英寸晶圆） 7700万像素（@12英寸晶圆） |
单次测量时间 | <35s（@6英寸，扫描时间) | <50s（@8英寸，扫描时间) <1.5min（@12英寸，扫描时间) |
样品载台 | 大尺寸电动XY位移台： 250*350mm 支持自动拼接 | 大尺寸电动XY位移台： 320*700mm 支持自动拼接 |
微管缺陷计数模块 | 可选配 | |
设备尺寸 | 一体式机柜： | 一体式机柜： |
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